計畫內容

推動目標及整體現況

智慧半導體奈米技術研究中心願景為成為世界頂尖的半導體奈米系統技術研究重鎮。研究主題共分為五大項,如圖所示,分別為三維積層型元件結構與系統電路設計、負電容電晶體技術、二維半導體元件與材料、低阻抗之內連線與接觸電阻技術、高速與高頻應用之三五族鰭式電晶體技術等。

智慧半導體奈米技術研究中心整合交大跨領域人才,結合國家實驗研究院國家奈米元件實驗室(NDL)及同步輻射中心,共同解決半導體極致微縮技術問題。此次由胡院士帶領跨領域之中心成員,解決最重要半導體技術問題,在教育部與科技部經費挹注下,除能協助業界解決製程技術瓶頸問題,更藉由發展此一前導性技術與前瞻科技,提升論文品質及增加頂尖論文數量,進一步推升交大在此相關技術領域(如半導體、電子、材料、物理等)之世界競爭力。

依據教育部之要求,本研究中心計畫擬選擇全球專注於半導體製程技術領域的日本東北大學國際知名之研究中心Research Institute of Electrical Communication (RIEC) 做為標竿研究中心。由於日本東北大學在半導體物理、材料以及電子、實力堅強,在產業合作與半導體製程特別傑出,具有多位享譽國際之大師,例如: Mitsumasa Koyanagi- (IEEE Medal for inventing stacked-capacitor DRAM),Fujio Masuoka (Japanese Emperor Ribbon for inventing NAND memory), Seiji Samukawa (Equipment)等。在日本東北大學許多研究中當中,Research Institute of Electrical Communication (RIEC)與本中心之性質較為相近但規模較大。RIEC自1935年成立,分為四部門投入智慧資訊系統之理論與應用研究,其與產業合作技術成果有目共睹,目前共有教授及研究人員137人,研究經費每年超過10億台幣(>2.8 billiun Yen)。

標竿研究中心之學習技術是腳踏實地,創造對產業界有震撼力的創新,雖然RIEC規模較本研發中心大約十倍(人力與經費),我們將以此研究中心作為標竿,藉由教育部與科技部經費之支持,與產業界如台積電、美國應用材料及比利時IMEC等密切合作,相信五年內有機會在Monolithic Stacked Devices and Circuits, 2D materials and NCFET, Contact/Via Plugs and Interconnects, Low R contact and Cu interconnects, III-V RF FinFET等五大半導體關鍵議題有重大突破,於此相關技術超越RIEC,預期對產業產生重要影響並可獲得世界肯定。在胡院士的帶領下,擬以五年之努力,藉由克服半導體技術最重要課題,以提升本研究中心之學術地位與影響力。