本中心分項計畫主持人劉致為教授於 2023 年 12 月 9 日赴美國舊金山參加國際頂尖半導體盛會 International Electron Devices Meeting (IEDM)，並發表重要研究成果 ”First Demonstration of Monolithic Self-aligned Heterogeneous Nanosheet Channel Complementary FETs with Matched VT by Band Alignments of Individual Channels”，受到與會的學者專家一致重視，提升本中心國際能見度。
原規劃會議結束後，赴 UC Berkeley BETR center 參訪，因中心主要與本計畫相關之學者均參與 IEDM 盛會，因此就近與 BETR 中心學者於會議現場交流，由於鐵電材料在劉教授主持之分項計畫 (使用 GAA 鐵電電晶體之 3D NAND) 密切相關，於會場與 BETR 中心鐵電材料與元件技術先驅 Sayeef Salahuddin 教授作密切技術交流，會談中深入討論，NC-FET 的元件物理、製程方法及現況並交換研究心得，從討論中獲得一致看法，必需創新發展減少鐵電材料之前瞻技術，例如磊晶 HZO 等方式以克服 defect 造成的負面作用，如此才能推展至產業化。
