本中擬發展目前產業尚無解決方案之五大關鍵瓶頸技術，以協助維持臺灣技術優勢。成果如下:
-在學術表現方面，共發表SCI期刊論文33篇，屬於Q1期刊共19篇，其中Impact Factor＞10則有9篇包括Advanced Materials, Nature Communications, Nature Electronics, Materials Today Physics 等高影響係數國際頂尖期刊。屬於國際合作成果共7篇，屬於Q1期刊共6篇。另外，於國際研討會發表論文今年共有42篇，其中於半導體領域之國際頂尖會議Symposium on VLSI Technology and Circuits發表4篇、International Electron Devices Meeting共發表3篇論文。研發成果豐碩，創新成果受到國際肯定。
-在人才培育方面，共培育碩士生16位、博士生20位。其中有1位取得博士學位、3位取得碩士學位，分別投入半導體相關產業。國際交換生共16位，包含選送表現優秀的14名博士生至國際知名研究機構進行學術交流，培養其國際視野與國際合作經驗，對未來厚植台灣之研發實力有莫大助益。
-在社會貢獻方面，本年度產學合作共7案，合計金額共1,146.6萬元。合作廠商分別為Semiconductor Research Corporation (SRC)、台積電、力積電等科技大廠。顯見研發實力受到產業界肯定。
-在技術創新方面，開發出多項世界級成果，包含:
1.以低熱預算液相磊晶技術(ELLPE)成功開發晶片級尺寸(>3cm X 3cm)單晶矽/鍺薄膜通道層，對高效能積層型三維積體電路晶片之實現有重要突破。
2.創新發展使用光熱合併的方法成功實現了在超薄氧化銦（In2O3）電晶體大範圍及大面積的VT調變展示其應用於低功耗電路設計的潛力。
3.率先以DFT計算解析ALD 初始步驟之反應特性，藉以找出關鍵反應物及適當反應條件，對本實驗小組開發關鍵之hAlN層狀介電層膜製程甚有助益。
4.成功開發出以n+-Si，n+-Ge為基板(下電極)，接近磊晶方式PEALD成長HZO薄膜(厚度約8nm)，達到此系統之世界紀錄2Pr = 84與73 μC/cm2(約HZO理論值的74%與64%)，證實HZO薄膜成長推向磊晶方式的可能性。
5.成功開發出低優異電性之InGaAs FinFET直流特性與高頻特性皆優良的砷化銦鎵鰭式電晶體(FinFET)， Dit<1012 eV-1cm-2, ION ~900 μA/μm, SS~80 mV/dec, DIBL ~100 mV/V, 且fT = 275 GHz。
另外，本年度共有1件專利獲證，4件發明專利完成申請程序。這些專利都是獲台積電審查通過，逕行技轉，展現本中心在半導體技術領域之創新研發實力。
